Микроэлектроника 2024 - Попов Артем Построение моделей отечественных GaN HEMT-транзисторов

В последние несколько лет проблема разработки комплексных инструментов проектирования (PDK) стала вызывать большой интерес среди отечественных предприятий, разрабатывающих собственные полупроводниковые техпроцессы для производства СВЧ электронной компонентной базы. Основой для PDK являются модели активных и пассивных элементов, разработка которых является трудоёмкой задачей и требует применения строго выстроенной методологии. В прошлом году наш коллектив представил результаты построения современной нелинейной модели для отечественного GaAs pHEMT-техпроцесса. В этом году Артем Попов представил результаты использования предложенной методологии разработки моделей СВЧ-транзисторов применительно к отечественному 0,25 мкм GaN-SiC HEMT АО “НПП Исток им. Шокина“.