Полевые транзисторы 2ПС202

Повышение интеграции микросхем на протяжении первых десятилетий их существования шло по двум направлением: размещение большего количества активных и пассивных компонентов на одном кристалле и монтаж большого количества миниатюрных компонентов на изоляционной подложке. Второй способ применялся при создании гибридных микросхем, и одним из типов транзисторов для таких микросхем были полевые сборки 2ПС202,представлявшщие собой миниатюрный кристалл с эпоксидным защитным покрытием и нитевидными выводами, размещенный для отладки в стеклянный корпус-основание с цоколем соответствующем пальчиковым приемно - усилительным лампам, получивший название корпус-спутник. Эти транзисторы предназначены для применения во входных каскадах высокочувствительных гибридных интегральных микросхем эпитексиально-планарные с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящие. Выполнены на кремниевом кристалле способом ионного легирования смонтированы в металлостеклянных корпусах и корпусах спутниках. Использование дискретных миниатюрных транзисторов, таких как 2ПС202, позволяло создать малогабаритную полупроводниковую технику, на гибридных микросхемах. Ныне ей на смену пришли приборы на интегральных микросхемах.