История создания советского транзистора

Предпосылки к появлению полупроводникового прибора предназначенного для замены усилительных и генераторных радиоламп бытовали в научной среде не позднее середины 30тых годов, когда с одной стороны, были повсеместно изучены и в небольших количествах внедрены усилительные приборы на основе генерирующих диодов Лосева, а с другой стороны была создана теория выпрямления тока в контактном слое металл-полупроводник в которой рассматривался и туннельный эффект. Параллельно с открытиями советских исследователей достигли успехов и немецкие ученые. Так 1928 Юлиус Эдгар Лилиенфельд запатентовал принципы работы полевого транзистора, хотя конечно, говорить о стабильности его характеристик или их техническом совершенстве в то время было ещё рано. В 1936-38 гг. знаменитый физик Роберт Вихард Поль (основоположник современной физики твёрдого тела), совместно с Р. Хильшем, создали реально работавший прототип транзистора – полупроводниковый усилитель, основанный на кристаллах бромида галлия (опубликовано в Zeitschrift Physik, III (1938)). Однако в связи с началом Второй Мировой Войны большинство работ по твёрдотелым усилителям было свернуто, и получило дальнейшее развитее не ранее 1944 года. При этом одним из затруднений, повлиявших на время разработки советского полупроводникового триода, было отсутствие кристаллов достаточной частоты, в результате чего для экспериментов использовались полупроводники от трофейных детекторов. Одним из первых успешных результатов в области разработки полупроводникового усилительного прибора можно считать разработку инженерной группы А.В.Красилова, которые в феврале 1949 года впервые наблюдали транзисторный эффект, т.е. управление малым электрическим напряжением изменения тока в цепи с большим напряжением. Непосредственное создание первого советского транзистора является делом рук Сусанны Гукасовны Мадоян, чья дипломная работа «точечный транзистор появилась в декабре 1948 года. Фактически роботы по созданию транзистора были произведены независимо от американской разработки Шокли, Бардина и Браттейна. Первые транзисторы по проектам «Точка и «Плоскость» были выпущены в августе-сентябре 1953 года. Первыми серийными транзисторами, выпущенными отечественной промышленностью в конце 1953 года, были точечные триоды типов КС1 - КС8. Первые шесть типов предназначались для использования в усилительных схемах на частотах не свыше 5 МГц (КС6), два последних типа были предназначены для генерирования колебаний до 1,5 МГц (КС7) и до 5 МГц (КС8). Первыми промышленными типами плоскостных транзисторов были сплавные германиевые p-n-p транзисторы КСВ-1 и КСВ-2 (в дальнейшем получившие название П1 и П2), выпуск которых начался с 1955 года. Тогда же были сделаны выводы о тематике применения транзисторов-точечных-для генерации и усиления сигналов ВЧ, а плоскостные-для усиления сигналов НЧ. Таким образом первые транзисторные аппараты появились в Советском Союзе в первой половине пятидесятых годов, а не на 10 лет позже, когда они получили широкое применение.