Полупроводниковые процессы для создания элементной базы Ka-диапазона частот

В докладе приведены результаты 3D ЭМ моделирования стандартной рупорной антенны в AWR Analyst-MP, а также сравнение полученных результатов со спецификациями на антенны и результатами измерения в комплексе ближнего поля со сферическим сканированием R&S TS8991. Показаны причины использования параметра эффективности антенны при калибровке комплекса вместо метода замещения.WIN Semiconductors, фабрика модели «pure play», предлагает полупроводниковые процессы для создания элементной базы Ka-диапазона для таких приложений как приемо-передающие модули систем 5G, телекоммуникация и радиолокация. Сюда относятся мкм GaAs E-mode pHEMT процесс с опцией PIN-диодов (PE15/PIH1), а также GaN HEMT процесс, транзисторы которого характеризуются длиной затвора мкм и номинальным напряжением питания 20 В (NP15). Опция PIN-диодов позволяет интегрировать на кристалл мощные/высокоскоростные коммутаторы, дискретные фазовращатели и аттенюаторы. Кроме того, доступна опция нормально открытых и нормально закрытых транзисторов