Перспективы изготовления высокотемпературных сверхпроводников 3 – поколения

В пятницу г. в Предпринимательской точке кипения Дагестанского государственного университета с по состоится лекционное занятие и мастер-класс на тему «Перспективы изготовления высокотемпературных сверхпроводников 3 – поколения» Докладчик: Гаджимагомедов Султанахмед Ханахмедович, к. ф.-м. н., д0цент кафедры физики конденсированного состояния и наносистем физического факультета Дагестанского государственного университета, эксперт НТИ. Участники дискуссии: - Касимова Т.М., к. э. н., доцент, заведующая кафедрой информационных систем и технологий программирования, начальник одела инновационной деятельности трансфера технологий Дагестанского государственного университета, эксперт НТИ; - Амашаев Р.Р., к. х. н., старший переподаватель кафедры физической и органический химии Дагестанского государственного университета, директор «Инжинирингового центра «Цифровые платформы» Дагестанского государственного университета, генеральный директор ООО «АСО технологии», эксперт НТИ. - Гираев К.М., к. ф.-м. н., доцент кафедры физической электроники, начальник управления научно-исследовательских работ Дагестанского государственного университета, эксперт НТИ. Аннотация Мероприятие посвящено изучению перспективных материалов и технологии изготовления высокотемпературных сверхпроводников третьего поколения. Планируется ознакомить с успехами в области сверхпроводниковой индустрии, а также с проблемами и перспективами получения таких структур. Особое внимание будет уделено новым разработкам и технологиям, позволяющим достичь высоких значений критической температуры сверхпроводимости. Будут рассмотрены различные способы синтеза и модификации материалов для достижения желаемых свойств. Несмотря на успехи в плане повышения значений критической плотности тока до ~106 A/cm2, что на три порядка ниже теоретического значения, все еще не решена проблема высоких резистивных потерь на переменном токе, особенно во внешнем магнитном поле. При этом потери за счет собственного магнитного поля устраняются при использовании немагнитных подложек на основе оксидных волокон (из сапфира или кварца). В частности, будут продемонстрирована технология получения сверхпроводящих пленок состава YBCO на подложках из аморфного кварца (YBCO/SiO2/Si) методом магнетронного распыления. Инновационность метода заключается в получении пленок, распыляя наноструктурированные мишени и без нанесения дополнительных согласующих слоев. Также будет обсуждено применение высокотемпературных сверхпроводников в различных устройствах, например, в магнитных резонансных томографах и суперкомпьютерах. Будут рассмотрены преимущества и ограничения использования этих материалов, а также возможности их коммерциализации. В заключение лекции будет поднят вопрос о перспективах дальнейшего развития высокотемпературных сверхпроводников и их влиянии на современные технологии и промышленность.