Транзисторы IR в корпусе DirectFET

Большой объем исследований в области корпусирования мощных полупроводниковых приборов ведется компанией International Rectifier , которая в настоящее время выпускает лучшие в отрасли по соотношению цена-качество MOSFET-транзисторы. Предложенная компанией IR технология DirecFET обеспечила прорыв на пути достижения рекордно высоких показателей эффективности корпуса, таких как малое температурное сопротивление, малое активное сопротивление выводов, низкий уровень паразитных факторов. Также следует (крупный план) отметить максимальную площадь теплового и электрического контакта с печатной платой, удобную топологию выводов и минимальные габариты корпуса. В технологии DirectFET используется специфический кристалл транзистора с двусторонним расположением выводов: площадка затвора и , как правило, несколько площадок истока с одной стороны и сток с другой. Соединение стока с печатной платой обеспечивается с помощью медной крышки-зажима, на которой и размещен кристалл транзистора. В корпусах DirectFET отсутствует разварка кристалла (соединение проводниками площадок транзистора с внешними выводами). Электрический ток протекает по кратчайшему расстоянию - через кристалл и крышку корпуса, у транзисторов в корпусах SO8, D-Pack и их разновидности ток, протекает через проводники разварки кристалла и выводы корпуса. Таким образом, транзисторы в корпусах DirectFET обладают ультранизким сопротивлением выводов. Следует отметить также, низкое температурное сопротивление - на рисунке проиллюстрированы возможные способы отвода тепла с корпусов DirectFET: обдувом, радиатором и теплопроводящей пленкой. Из-за отсутствия проводников разварки кристалла корпуса DirectFET имеет самую низкую среди корпусов паразитную индуктивность. Корпус DirectFET имеет оптимальные размеры и удобство монтажа на печатную плату. В отличие от разработанных ранее типов корпусов для поверхностного монтажа взаимное расположение выводов DirectFET позволяет выполнить конструкцию проводников на печатной плате в виде трех параллельных шин, на которые удобно монтируются корпуса при параллельном соединении. Именно эти достоинства технологии корпусирования DirectFET, разработанные и запатентованные компанией International Rectifier, позволяют создавать изделия, в полной мере соответствующие требованиям настоящего времени.